Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 45.7068 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Kanał N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-4-1

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Opis	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-4-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,7mOhm przy 100A, 15V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,45V przy 240µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 178 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 14000 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOG-4-1
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V, 15V	Obudowa / skrzynia 4-PowerSFN