Name: IAUMN10S5N016GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N016GAUMA1TR-ND
Price: 26.5434 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUMN10S5N016GAUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUMN10S5N016GAUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUMN10S5N016GAUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUMN10S5N016GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUMN10S5N016GAUMA1
Opis	MOSFET_(75V 120V(
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 220A (Tj) 325W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-4-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUMN10S5N016GAUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 230µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 190 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 13570 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 325W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 220A (Tj)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOG-4-1
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,6mOhm przy 100A, 10V	Obudowa / skrzynia 4-PowerSFN