Name: ISC035N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 22.9272 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISC035N10NM5LF2ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC035N10NM5LF2ATMA1
Opis	ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,5mOhm przy 50A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,9V przy 115µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 88 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7200 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 217W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 19A (Ta), 164A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8, FL
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN