Name: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF018N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 30.2088 PLN
Availability: InStock

Kanał N 100 V 31A (Ta), 259A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPF018N10NM5LF2ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPF018N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPF018N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPF018N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPF018N10NM5LF2ATMA1
Opis	IPF018N10NM5LF2ATMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 31A (Ta), 259A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPF018N10NM5LF2ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,7mOhm przy 100A, 15V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,9V przy 280µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 206 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 17000 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 31A (Ta), 259A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V, 15V	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)