IPD180N10N3GBTMA1 nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Infineon Technologies
W magazynie: 5 033
Cena jednostkowa : 6,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 3 176
Cena jednostkowa : 9,16000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 14 000
Cena jednostkowa : 8,80000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,55740 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 13 886
Cena jednostkowa : 8,62000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 2 816
Cena jednostkowa : 14,08000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,89000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 414
Cena jednostkowa : 7,68000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 329
Cena jednostkowa : 9,34000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 403
Cena jednostkowa : 9,52000 zł
Arkusz danych
Kanał N 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD180N10N3GBTMA1

Numer produktu DigiKey
IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
IPD180N10N3GBTMA1
Opis
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 33µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
25 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±20V
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1800 pF @ 50 V
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Straty mocy (maks.)
71W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO252-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
6V, 10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
18mOhm przy 33A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (10)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
IPD180N10N3GATMA1Infineon Technologies5 033IPD180N10N3GATMA1CT-ND6,50000 złBezpośrednie
IRFR3710ZTRLPBFInfineon Technologies3 176IRFR3710ZTRLPBFCT-ND9,16000 złSimilar
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies14 000IRFR3710ZTRPBFCT-ND8,80000 złSimilar
AOD2910Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOD2910-ND1,55740 złSimilar
FDD86102LZonsemi13 886FDD86102LZFSCT-ND8,62000 złSimilar
W magazynie: 0
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki.