Name: IRFR3710ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3710ZTRPBFTR-ND
Price: 10.824 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFR3710ZTRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFR3710ZTRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFR3710ZTRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFR3710ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFR3710ZTRPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFR3710ZTRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 100 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2930 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 140W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA (DPAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 42A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IRFR3710
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 33A, 10V