Name: RBE111N10R1SZN2#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND
Price: 7.7244 PLN
Availability: OutOfStock

RBE111N10R1SZN2#HB0 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

RBA40N10EANS-5UA11#HB0

Renesas Electronics Corporation

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 11,29000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Nowy produkt

Kanał N 100 V 40A (Tc) 57W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany μSO8-FL

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RBE111N10R1SZN2#HB0
Numer produktu DigiKey	559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND - Taśma i szpula (TR) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0CT-ND - Taśma cięta (CT) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	RBE111N10R1SZN2#HB0
Opis	MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 40A (Tc) 57W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany μSO8-FL
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 28µA
Prod. Renesas Electronics Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1700 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 57W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 40A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia μSO8-FL
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11,1mOhm przy 20A, 10V