Name: IPD180N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD180N10N3GATMA1TR-ND
Price: 7.995 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD180N10N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD180N10N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD180N10N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD180N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD180N10N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD180N10N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 33µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1800 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 71W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 43A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IPD180
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 33A, 10V