TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63 Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 4 524
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
4 524Wyniki
Zastosowane filtry Usuń wszystkie

Wyświetlanie
z 4 524
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
PG-TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
22 455
W magazynie
1 : 2,97000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,71206 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
1,7A (Tc)
13V
3Ohm przy 400mA, 13V
3,5V przy 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252AA
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
onsemi
36 773
W magazynie
1 : 3,05000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,08522 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
11A (Tc)
5V
107mOhm przy 8A, 5V
3V przy 250µA
11.3 nC @ 10 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
2DB1184Q-13
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
16 614
W magazynie
1 : 3,34000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,81187 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
6A (Ta)
4,5V, 10V
68mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2,12W (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
DN2450K4-G
DN2450K4-G
MOSFET N-CH 500V 350MA TO252
Microchip Technology
5 397
W magazynie
1 : 3,38000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 2,56410 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
N-Channel, Depletion Mode
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
350mA (Tj)
0V
10Ohm przy 300mA, 0V
-
-
±20V
200 pF @ 25 V
-
2,5W (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
2DB1184Q-13
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
19 068
W magazynie
1 115 000
Fabryka
1 : 3,42000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,83884 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
7,2A (Ta)
4,5V, 10V
51mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2,14W (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252-3
AOD1N60
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
14 461
W magazynie
1 : 3,50000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,85880 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
1,3A (Tc)
10V
9Ohm przy 650mA, 10V
4,5V przy 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-50°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
42 996
W magazynie
1 : 3,58000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,88054 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
40A (Tc)
4,5V, 10V
22mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 62,5W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
20 346
W magazynie
1 : 3,58000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 0,91018 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
86A (Tc)
4,5V, 10V
5,8mOhm przy 25A, 10V
2,35V przy 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
101 276
W magazynie
1 : 3,74000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,92374 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
12A (Tc)
4,5V, 10V
115mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
2DB1184Q-13
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
118 684
W magazynie
65 000
Fabryka
1 : 3,91000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,97633 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
100 V
12A (Tc)
4,5V, 10V
140mOhm przy 5A, 10V
3V przy 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
2DB1184Q-13
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
9 596
W magazynie
1 : 3,91000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,97633 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
14A (Tc)
4,5V, 10V
110mOhm przy 12A, 10V
2,7V przy 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1,7W (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
319 652
W magazynie
1 : 3,99000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,79884 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
12A (Tc)
4,5V, 10V
44mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
97 086
W magazynie
1 : 3,99000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,99857 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
20A (Tc)
4,5V, 10V
30mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 37W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
20 629
W magazynie
1 : 4,03000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 1,04192 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
55 V
17A (Tc)
4V, 10V
65mOhm przy 10A, 10V
2V przy 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252-3
AOD444
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
104 366
W magazynie
1 : 4,11000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,82927 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
4A (Ta), 12A (Tc)
4,5V, 10V
60mOhm przy 12A, 10V
3V przy 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2,1W (Ta), 20W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
2DB1184Q-13
DMP10H400SK3-13
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Diodes Incorporated
60 770
W magazynie
1 : 4,11000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,04386 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
100 V
9A (Tc)
4,5V, 10V
240mOhm przy 5A, 10V
3V przy 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252-3
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
182 916
W magazynie
1 : 4,27000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,08296 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
13A (Ta), 50A (Tc)
4,5V, 10V
7mOhm przy 20A, 10V
2,6V przy 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2,3W (Ta), 50W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU60N04A-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
7 654
W magazynie
1 : 4,44000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,12542 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
60A
-
7mOhm przy 20A, 10V
2V przy 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 20 V
-
70W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
6 938
W magazynie
1 : 4,60000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,17770 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
30A (Tc)
4,5V, 10V
34mOhm przy 15A, 10V
2,5V przy 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
12 833
W magazynie
1 : 4,64000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,09387 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
18A (Tc)
4,5V, 10V
68mOhm przy 6A, 10V
2,2V przy 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Infineon Technologies
3 080
W magazynie
1 : 4,64000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 1,23474 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
55 V
28A (Tc)
4V, 10V
40mOhm przy 17A, 10V
2V przy 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252-3
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
55 841
W magazynie
1 : 4,68000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,19731 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
13A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
18mOhm przy 20A, 10V
2,7V przy 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6,2W (Ta), 60W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252AA
RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
onsemi
16 530
W magazynie
1 : 4,72000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,22466 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
14A (Tc)
5V
100mOhm przy 14A, 5V
2V przy 250µA
40 nC @ 10 V
±10V
670 pF @ 25 V
-
48W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
PG-TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
8 583
W magazynie
1 : 5,05000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,26526 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
700 V
8,5A (Tc)
10V
600mOhm przy 1,8A, 10V
3,5V przy 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W (Tc)
-40°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-252AA
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
onsemi
8 576
W magazynie
1 : 4,88000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,26772 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
200 V
5A (Tc)
10V
690mOhm przy 2,5A, 10V
5V przy 250µA
6.7 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
43W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Wyświetlanie
z 4 524

TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63 Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze


Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.