Name: IPB042N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB042N10N3GATMA1TR-ND
Price: 12.7674 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB042N10N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB042N10N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB042N10N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB042N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB042N10N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	49 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB042N10N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 150µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 117 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 8410 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 214W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IPB042
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,2mOhm przy 50A, 10V