Name: IPB020N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020N10N5LFATMA1TR-ND
Price: 27.798 PLN
Availability: InStock

IPB020N10N5LFATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB020N10N5LFATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB020N10N5LFATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB020N10N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB020N10N5LFATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 176A (Tc) 313W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB020N10N5LFATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	176A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,1V przy 270µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	840 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	313W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB020

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	9,16084 zł	9 160,84 zł
2 000	8,87845 zł	17 756,90 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	22,60000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	27,79800 zł

IPB020N10N5LFATMA1