Kanał N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB020N10N5ATMA1

Numer produktu DigiKey
IPB020N10N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
IPB020N10N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
IPB020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IPB020N10N5ATMA1
Opis
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta
21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
OptiMOS™
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
2mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,8V przy 270µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
15600 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu
IPB020
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 4 148
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
123,25000 zł23,25 zł
1015,57100 zł155,71 zł
10011,21100 zł1 121,10 zł
50010,04056 zł5 020,28 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0008,20308 zł8 203,08 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:23,25000 zł
Cena jednostkowa z VAT:28,59750 zł
Produkt powiązanyZobacz wszystko
7 Pozycje
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,32000 zł
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,71000 zł
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,21000 zł
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,96000 zł
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,54000 zł
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

7,32000 zł
2EDS8265HXUMA1

2EDS8265HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

13,71000 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
9 Pozycje
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3

Infineon Technologies

24,18000 zł
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3

Diodes Incorporated

3,11000 zł
SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO263

Vishay Siliconix

18,39000 zł
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

20,75000 zł
NTB004N10G

NTB004N10G

MOSFET N-CH 100V 201A TO263

onsemi

23,36000 zł
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

20,75000 zł
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Infineon Technologies

24,50000 zł
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Infineon Technologies

20,29000 zł
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Infineon Technologies

10,61000 zł