Name: IMBG120R008M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R008M2HXTMA1TR-ND
Price: 159.3096 PLN
Availability: InStock

Kanał N 1200 V 189A (Tc) 800W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG120R008M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG120R008M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG120R008M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG120R008M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG120R008M2HXTMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	69 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 189A (Tc) 800W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,1V przy 28,3mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 195 nC @ 18 V
Seria CoolSiC™ G2	Vgs (maks.) +23V, -10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6380 pF @ 800 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 800W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-12
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 189A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Bazowy numer produktu IMBG120R008
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,7mOhm przy 89,9A, 18V