Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 141.4623 PLN
Availability: InStock

Kanał N 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMBG120R010M1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMBG120R010M1XTMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 178 nC @ 20 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) +25V, -10V
Seria CoolSiC™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5703 pF @ 800 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 882W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 205A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V, 20V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11.3mOhm @ 93A, 20V	Bazowy numer produktu AIMBG120
Vgs(th) (maks.) przy Id 5.1V @ 30mA