Kanał N 1200 V 8,1A (Tc) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 1200 V 8,1A (Tc) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R234M2HXTMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
448-IMBG120R234M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
448-IMBG120R234M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IMBG120R234M2HXTMA1
Opis
SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta
39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 8,1A (Tc) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™ G2
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
8,1A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
233,9mOhm przy 3A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,1V przy 900µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
7.9 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+20V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
290 pF @ 800 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
80W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia
TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu
IMBG120R234
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 106
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
116,68000 zł16,68 zł
1011,04300 zł110,43 zł
1007,83530 zł783,53 zł
5007,30622 zł3 653,11 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0006,02784 zł6 027,84 zł
2 0005,96915 zł11 938,30 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:16,68000 zł
Cena jednostkowa z VAT:20,51640 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263

Infineon Technologies

18,07000 zł
VS-E7FX0112-M3/I

VS-E7FX0112-M3/I

DIODE STANDARD 1200V 1A DO219AB

Vishay

0,64000 zł
SMF20A

SMF20A

TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123F

Littelfuse Inc.

1,21000 zł
IMBG120R220M1HXTMA1

IMBG120R220M1HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 13A TO263

Infineon Technologies

20,50000 zł
IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Infineon Technologies

18,57000 zł
IMBG120R078M2HXTMA1

IMBG120R078M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 29A TO263

Infineon Technologies

25,04000 zł
UCC21530BQDWKRQ1

UCC21530BQDWKRQ1

DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 14SOIC

Texas Instruments

25,68000 zł
IMBG120R008M2HXTMA1

IMBG120R008M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 189A TO263

Infineon Technologies

111,03000 zł
IMBG120R017M2HXTMA1

IMBG120R017M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 107A TO263

Infineon Technologies

61,18000 zł
IMBG120R181M2HXTMA1

IMBG120R181M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263

Infineon Technologies

18,14000 zł