Name: DMP10H400SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP10H400SK3-13DITR-ND
Price: 4.7232 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP10H400SK3-13
Numer produktu DigiKey	DMP10H400SK3-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMP10H400SK3-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMP10H400SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP10H400SK3-13
Opis	MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 9A (Tc) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMP10H400SK3-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	240mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1239 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	DMP10