Kanał P Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyświetlanie

z 6 300

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Napięcie sprzężone z ładunkiem bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Napięcie sprzężone z pojemnością wejściową (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
BSS84Q-13-F BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Diodes Incorporated	8 613 W magazynie	1 : 0,65000 zł Taśma cięta (CT) 10 000 : 0,10391 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm przy 100mA, 5V	2V przy 1mA	0.59 nC @ 10 V	0.59 nC @ 10 V	-	±20V	45 pF @ 25 V	45 pF @ 25 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84AK,215 MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Nexperia USA Inc.	463 133 W magazynie	1 : 0,81000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13228 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	180mA (Ta)	10V	7,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.35 nC @ 5 V	0.35 nC @ 5 V	-	±20V	36 pF @ 25 V	36 pF @ 25 V	-	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX3008PBK,215 MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Nexperia USA Inc.	34 264 W magazynie	1 : 0,90000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,17766 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	230mA (Ta)	2,5V, 4,5V	4,1Ohm przy 200mA, 4,5V	1,1V przy 250µA	0.72 nC @ 4.5 V	0.72 nC @ 4.5 V	-	±8V	46 pF @ 15 V	46 pF @ 15 V	-	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	288 012 W magazynie 7 545 000 Fabryka	1 : 0,98000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,20266 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm przy 350mA, 4,5V	1V przy 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	0.622 nC @ 4.5 V	-	±6V	59.76 pF @ 16 V	59.76 pF @ 16 V	-	-	270mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-523	SOT-523
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	243 140 W magazynie 264 000 Fabryka	1 : 1,02000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,21289 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	3A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm przy 2,8A, 4,5V	1,2V przy 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	5.5 nC @ 4.5 V	-	±8V	476 pF @ 10 V	476 pF @ 10 V	-	-	1,5W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	331 067 W magazynie	1 : 1,06000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,21598 zł Taśma i szpula (TR)	SIPMOS®	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm przy 170mA, 10V	2V przy 20µA	1.5 nC @ 10 V	1.5 nC @ 10 V	-	±20V	19 pF @ 25 V	19 pF @ 25 V	-	-	360mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	214 923 W magazynie 7 536 000 Fabryka	1 : 1,18000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,24621 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	4,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mOhm przy 4,2A, 4,5V	900mV przy 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	10.2 nC @ 4.5 V	-	±8V	808 pF @ 15 V	808 pF @ 15 V	-	-	1,4W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-13 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	200 450 W magazynie 3 020 000 Fabryka	1 : 1,18000 zł Taśma cięta (CT) 10 000 : 0,20584 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	4,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mOhm przy 4,2A, 4,5V	900mV przy 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	10.2 nC @ 4.5 V	-	±8V	808 pF @ 15 V	808 pF @ 15 V	-	-	1,4W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	97 312 W magazynie	1 : 1,18000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,24090 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm przy 100mA, 5V	2V przy 250µA	-	-	-	±20V	30 pF @ 5 V	30 pF @ 5 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3099L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	374 391 W magazynie	1 : 1,22000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,25859 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	3,8A (Ta)	4,5V, 10V	65mOhm przy 3,8A, 10V	2,1V przy 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	5.2 nC @ 4.5 V	-	±20V	563 pF @ 25 V	563 pF @ 25 V	-	-	1,08W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR5105PT1G MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3 onsemi	272 747 W magazynie	1 : 1,30000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,27391 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	196mA (Ta)	4,5V, 10V	5Ohm przy 100mA, 10V	3V przy 250µA	1 nC @ 5 V	1 nC @ 5 V	-	±20V	30.3 pF @ 25 V	30.3 pF @ 25 V	-	-	347mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	70 094 W magazynie	1 : 1,30000 zł Taśma cięta (CT) 8 000 : 0,23325 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,2Ohm przy 200mA, 4,5V	1V przy 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	1.4 nC @ 4.5 V	-	±10V	115 pF @ 10 V	115 pF @ 10 V	-	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	VMT3	SOT-723
DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	278 804 W magazynie 1 650 000 Fabryka	1 : 1,34000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,28106 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	3,8A (Ta)	1,8V, 4,5V	62mOhm przy 4,2A, 4,5V	1V przy 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	6.3 nC @ 4.5 V	-	±8V	487 pF @ 20 V	487 pF @ 20 V	-	-	800mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J327R,LF MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	14 809 W magazynie	1 : 1,34000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,28106 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	3,9A (Ta)	1,5V, 4,5V	93mOhm przy 1,5A, 4,5V	1V przy 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	4.6 nC @ 4.5 V	-	±8V	290 pF @ 10 V	290 pF @ 10 V	-	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23F	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	236 290 W magazynie 1 731 000 Fabryka	1 : 1,38000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,29247 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm przy 100mA, 5V	2V przy 1mA	-	-	-	±20V	45 pF @ 25 V	45 pF @ 25 V	-	-	200mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	96 103 W magazynie	1 : 1,42000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,30628 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	6A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm przy 5A, 10V	1,2V przy 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	8.2 nC @ 4.5 V	-	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	560 pF @ 15 V	-	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23F	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	54 298 W magazynie	1 : 1,42000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,30564 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	3,3A (Ta)	1,8V, 10V	72mOhm przy 4,2A, 10V	1,3V przy 250µA	15.9 nC @ 10 V	15.9 nC @ 10 V	-	±12V	708 pF @ 15 V	708 pF @ 15 V	-	-	700mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	131 030 W magazynie	1 : 1,47000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,31251 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	4A (Ta)	4V, 10V	71mOhm przy 3A, 10V	2V przy 100µA	5.9 nC @ 10 V	5.9 nC @ 10 V	-	±20V	280 pF @ 15 V	280 pF @ 15 V	-	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23F	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	54 540 W magazynie	1 : 1,47000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,31251 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	6A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm przy 5A, 10V	1,2V przy 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	8.2 nC @ 4.5 V	-	±12V	560 pF @ 15 V	560 pF @ 15 V	-	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23F	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	124 874 W magazynie	1 : 1,51000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,32489 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	4,3A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mOhm przy 4A, 4,5V	1V przy 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	6.8 nC @ 4.5 V	-	±8V	634 pF @ 10 V	634 pF @ 10 V	-	-	800mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2160U-7 MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	56 177 W magazynie 1 008 000 Fabryka	1 : 1,51000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,32489 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	3,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	80mOhm przy 1,5A, 4,5V	900mV przy 250µA	-	-	-	±12V	627 pF @ 10 V	627 pF @ 10 V	-	-	1,4W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS314PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Infineon Technologies	35 630 W magazynie	1 : 1,51000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,32217 zł Taśma i szpula (TR)	OptiMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	1,5A (Ta)	4,5V, 10V	140mOhm przy 1,5A, 10V	2V przy 6,3µA	2.9 nC @ 10 V	2.9 nC @ 10 V	-	±20V	294 pF @ 15 V	294 pF @ 15 V	-	-	500mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3403 MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	24 069 W magazynie	1 : 1,55000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,33493 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Nie do nowych projektów	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	2,6A (Ta)	2,5V, 10V	115mOhm przy 2,6A, 10V	1,4V przy 250µA	7.2 nC @ 10 V	7.2 nC @ 10 V	-	±12V	315 pF @ 15 V	315 pF @ 15 V	-	-	1,4W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	3-SMD, wariant SOT-23-3
DMP21D0UT-7 MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523 Diodes Incorporated	270 144 W magazynie 12 000 Fabryka	1 : 1,63000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,34937 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	590mA (Ta)	1,8V, 4,5V	495mOhm przy 400mA, 4,5V	700mV przy 250µA (typ.)	1.54 nC @ 8 V	1.54 nC @ 8 V	-	±8V	80 pF @ 10 V	80 pF @ 10 V	-	-	240mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-523	SOT-523
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	109 862 W magazynie	1 : 1,63000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,34823 zł Taśma i szpula (TR)	SIPMOS®	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	330mA (Ta)	4,5V, 10V	2Ohm przy 330mA, 10V	2V przy 80µA	3.57 nC @ 10 V	3.57 nC @ 10 V	-	±20V	78 pF @ 25 V	78 pF @ 25 V	-	-	360mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Wyświetlanie

z 6 300

Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.

Kanał P Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Kanał P Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

INFORMATION

HELP

CONTACT US

FOLLOW US