AOTF11N62L jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 778
Cena jednostkowa : 14,26000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 941
Cena jednostkowa : 11,56000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 50
Cena jednostkowa : 10,59000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 769
Cena jednostkowa : 19,53000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 490
Cena jednostkowa : 12,21000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,02353 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 772
Cena jednostkowa : 14,11000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 936
Cena jednostkowa : 7,58000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 359
Cena jednostkowa : 11,96000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 17
Cena jednostkowa : 11,99000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 40
Cena jednostkowa : 9,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 22
Cena jednostkowa : 10,59000 zł
Arkusz danych
Kanał N 620 V 11A (Tc) 39W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOTF11N62L

Numer produktu DigiKey
785-1436-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOTF11N62L
Opis
MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 620 V 11A (Tc) 39W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
620 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
650mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1990 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
39W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.