



R6007ENX | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | R6007ENX-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | R6007ENX |
Opis | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 18 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | R6007ENX Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 10 V |
Opakowanie Zbiorcze | Vgs (maks.) ±20V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 390 pF @ 25 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 40W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220FM |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 620mOhm przy 2,4A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 6,00000 zł | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 18,28000 zł | Similar |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK8A65WS5X-ND | 9,66000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,21000 zł | 12,21 zł |
| 10 | 7,94600 zł | 79,46 zł |
| 100 | 5,51080 zł | 551,08 zł |
| 500 | 4,46962 zł | 2 234,81 zł |
| 1 000 | 4,13509 zł | 4 135,09 zł |
| 2 000 | 3,85388 zł | 7 707,76 zł |
| 5 000 | 3,56387 zł | 17 819,35 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,21000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,01830 zł |

