
IPA80R650CEXKSA2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPA80R650CEXKSA2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPA80R650CEXKSA2 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3F |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPA80R650CEXKSA2 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 650mOhm przy 5,1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,9V przy 470µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1100 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 33W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3F | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,12000 zł | 10,12 zł |
| 50 | 5,00000 zł | 250,00 zł |
| 100 | 4,50150 zł | 450,15 zł |
| 500 | 3,62746 zł | 1 813,73 zł |
| 1 000 | 3,34661 zł | 3 346,61 zł |
| 2 000 | 3,11042 zł | 6 220,84 zł |
| 5 000 | 2,99983 zł | 14 999,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,12000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 12,44760 zł |








