AOT11S65L jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,73960 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 2 299
Cena jednostkowa : 13,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 990
Cena jednostkowa : 12,32000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 30 333
Cena jednostkowa : 6,06843 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 219
Cena jednostkowa : 24,45000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,13000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,62000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 970
Cena jednostkowa : 26,39000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,36684 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,62000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 322
Cena jednostkowa : 19,35000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 817
Cena jednostkowa : 12,07000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 596
Cena jednostkowa : 12,46000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 34
Cena jednostkowa : 18,28000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOT11S65L

Numer produktu DigiKey
785-1510-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOT11S65L
Opis
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
13.2 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
646 pF @ 100 V
Status części
Nieaktualne
Straty mocy (maks.)
198W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
399mOhm przy 5,5A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (15)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
IXTP12N65X2IXYS0IXTP12N65X2-ND7,73960 złBezpośrednie
FCP380N60onsemi2 2991990-FCP380N60-ND13,86000 złSimilar
IPP60R299CPXKSA1Infineon Technologies990448-IPP60R299CPXKSA1-ND12,32000 złSimilar
IPP65R420CFDXKSA1Rochester Electronics, LLC30 3332156-IPP65R420CFDXKSA1-ND6,06843 złSimilar
IXFP22N60P3IXYS219IXFP22N60P3-ND24,45000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.