Kanał N 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP18N65M2

Numer produktu DigiKey
497-15557-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STP18N65M2
Opis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP18N65M2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ M2
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
330mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
770 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
STP18
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 600
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
111,89000 zł11,89 zł
505,95080 zł297,54 zł
1005,37350 zł537,35 zł
5004,36216 zł2 181,08 zł
1 0004,03718 zł4 037,18 zł
2 0003,76400 zł7 528,00 zł
5 0003,73700 zł18 685,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:11,89000 zł
Cena jednostkowa z VAT:14,62470 zł