ROHM Semiconductor

Automotive-Grade 3rd Generation SiC MOSFETs

ROHM’s AEC-Q101 compliant MOSFETs utilize a trench gate structure

Image of Renesas 3rd Generation Automotive-Grade SiC MOSFETsROHM has added twelve automotive-grade SiC MOSFETs, which provide the high reliability necessary for automotive on-board chargers and DC/DC converters.

In response to growing environmental awareness and rising fuel costs in recent years, an increasing number of automotive makers are offering electric vehicles. However, although EVs are becoming more widespread, their relatively short driving range remains problematic. To improve their driving distance, batteries are trending toward larger battery capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on-board chargers such as 11 kW and 22 kW, leading to increased adoption of SiC MOSFETs. In addition, higher voltage batteries (800 V) require power devices featuring low loss and higher withstand voltages.

To meet these needs, ROHM added twelve models to its lineup of AEC-Q101 qualified MOSFETs that utilize a trench gate structure. The result is a large portfolio, available in both 650 V and 1200 V variants.

Features
  • AEC-Q101 compliant
  • Available in 650 VDS or 1200 VDS
  • ON resistance: 17 mΩ to 160 mΩ (typ.)
  • RoHS compliant

MOSFETs

ObrazManufacturer Part NumberOpisPrąd - ciągły drenu (Id) przy 25°CNapięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALHRC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N21A (Tc)18V442 - Immediate$39.04Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLHRC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N17A (Tc)18V226 - Immediate$36.57Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 650V 30A TO247NSCT3080ALHRC11SICFET N-CH 650V 30A TO247N30A (Tc)18V417 - Immediate$48.79Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 24A TO247NSCT3105KLHRC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N24A (Tc)18V187 - Immediate$55.14Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALHRC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N39A (Tc)18V437 - Immediate$86.86Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KLHRC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247N31A (Tc)18V642 - Immediate$86.43Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALHRC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N70A (Tc)18V395 - Immediate$144.75Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLHRC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N55A (Tc)18V847 - Immediate$152.96Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALHRC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N93A (Tc)18V450 - Immediate$251.71Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLHRC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N72A (Tc)18V579 - Immediate$234.11Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 650V 118A TO247NSCT3017ALHRC11SICFET N-CH 650V 118A TO247N118A (Tc)18V1096 - Immediate$411.46Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 95A TO247NSCT3022KLHRC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N95A (Tc)18V1127 - Immediate$435.39Wyświetl szczegóły
Published: 2019-06-06

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.

Related Articles and Blogs

Obniżenie strat, poprawa sprawności i rozszerzenie zakresu temperatur w zastosowaniach dużej mocy Projektanci mogą stosować tranzystory SiC MOSFET czwartej generacji, aby znacznie poprawić sprawność, obniżyć koszty i zmniejszyć rozmiary obwodów sterujących wysokiego napięcia i dużej mocy.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.

Related Product Training Modules

Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.