VideoLibrary

Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

SiliconCarbide (SiC) technology provides higher efficiencies and superior thermal performance, resulting in lighter, smaller, and cost-optimized charging systems that deliver 400 kilowatts and beyond.

5/21/2024 7:02:19 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A29 - Immediate$463.21Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIMNXH003P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM45 - Immediate
300 - Factory Stock		$759.78Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIMNXH004P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM20 - Immediate
740 - Factory Stock		$652.07Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIMNXH003P120M3F2PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM68 - Immediate
60 - Factory Stock		$816.95Wyświetl szczegóły
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIMNXH011T120M3F2PTHGMOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM14 - Immediate
14560 - Factory Stock		$413.62Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 900V 149ANXH020U90MNF2PTGMOSFET 2N-CH 900V 149A21 - Immediate$606.32Wyświetl szczegóły
MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39NVXR22S90M2SPCMOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC397 - Immediate$4,662.11Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 30A28 - Immediate
84 - Factory Stock		$266.81Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 30A26 - Immediate
56 - Factory Stock		$266.81Wyświetl szczegóły
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM25 - Immediate
28 - Factory Stock		$338.51Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Immediate
112 - Factory Stock		$447.22Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Immediate$447.22Wyświetl szczegóły
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM26 - Immediate
56 - Factory Stock		$333.39Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Immediate$405.38Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Immediate
56 - Factory Stock		$458.82Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Immediate
168 - Factory Stock		$458.82Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A25 - Immediate
1148 - Factory Stock		$440.26Wyświetl szczegóły
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM27 - Immediate
28 - Factory Stock		$475.40Wyświetl szczegóły
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM28 - Immediate
2632 - Factory Stock		$572.42Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PTGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Immediate
112 - Factory Stock		$498.05Wyświetl szczegóły

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.