


NXH011T120M3F2PTHG | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | NXH011T120M3F2PTHG |
Opis | MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 91A (Tc) 272W (Tj) Montaż na podstawie montażowej 29-PIM (56,7x42,5) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 4 z kanałem N (falownik solarny) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 91A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 16mOhm przy 70A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,4V przy 40mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 306nC przy 20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6331pF przy 800V | |
Moc - maks. | 272W (Tj) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 29-PIM (56,7x42,5) | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 435,29000 zł | 435,29 zł |
| 20 | 350,89700 zł | 7 017,94 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 435,29000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 535,40670 zł |



