


NXH003P120M3F2PTHG | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | NXH003P120M3F2PTHG |
Opis | MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 21 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montaż na podstawie montażowej 36-PIM (56,7x62,8) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (półmostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 350A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5mOhm przy 200A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,4V przy 160mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 1195nC przy 20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 20889pF przy 800V | |
Moc - maks. | 979W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 36-PIM (56,7x62,8) | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 759,78000 zł | 759,78 zł |
| 20 | 715,70400 zł | 14 314,08 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 759,78000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 934,52940 zł |







