VideoLibrary

Nexperia cascode GaN FETs

As a global expert for high performance Power FETs, Nexperia now introduces high-voltage devices with GaN-on-Silicon FET technology.

4/7/2025 2:03:15 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$41.11Wyświetl szczegóły
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247175 - Immediate$53.47Wyświetl szczegóły
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247309 - Immediate$42.59Wyświetl szczegóły
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS576 - Immediate$54.29Wyświetl szczegóły
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$54.29Wyświetl szczegóły

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej poprawiają sprawność działania ośrodków przetwarzania danych Ponieważ ośrodki przetwarzania danych charakteryzują się ogromnym zapotrzebowaniem na energię, wymagane są rozwiązania w zakresie zasilania, które mogą zmniejszyć straty mocy, zwiększyć sprawność i poprawić kontrolę termiczną.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Powody i sposoby użycia tranzystorów GaN FET w wysokosprawnych, wysokonapięciowych zastosowaniach zasilania impulsowego Poprawa sprawności energetycznej i gęstości mocy w systemach zasilania impulsowego wyższych napięć poprzez zrozumienie zasad i prawidłowe stosowanie tranzystorów GaN FET.
Warunki Informacja dotycząca prywatności Ustawienia plików cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. All Rights Reserved.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member