GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Półprzewodniki dyskretne

GAN063-650WSAQ jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 273

Cena jednostkowa : 89,72000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GAN063-650WSAQ
Numer produktu DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	GAN063-650WSAQ
Opis	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	60mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1000 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	143W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	GAN063