GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

GAN063-650WSAQ jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 175

Cena jednostkowa : 53,47000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GAN063-650WSAQ
Numer produktu DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	GAN063-650WSAQ
Opis	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 1mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 10 V
Opakowanie Rurka	Vgs (maks.) ±20V
Status części Nieaktualne	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1000 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 143W (Tc)
Technologia GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 34,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-247-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-247-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 60mOhm przy 25A, 10V	Bazowy numer produktu GAN063