Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$49.68Wyświetl szczegóły
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$40.89Wyświetl szczegóły
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$50.46Wyświetl szczegóły
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$39.61Wyświetl szczegóły
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$42.50Wyświetl szczegóły
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$50.46Wyświetl szczegóły
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej poprawiają sprawność działania ośrodków przetwarzania danych Ponieważ ośrodki przetwarzania danych charakteryzują się ogromnym zapotrzebowaniem na energię, wymagane są rozwiązania w zakresie zasilania, które mogą zmniejszyć straty mocy, zwiększyć sprawność i poprawić kontrolę termiczną.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Powody i sposoby użycia tranzystorów GaN FET w wysokosprawnych, wysokonapięciowych zastosowaniach zasilania impulsowego Poprawa sprawności energetycznej i gęstości mocy w systemach zasilania impulsowego wyższych napięć poprzez zrozumienie zasad i prawidłowe stosowanie tranzystorów GaN FET.