SiC Power Module

SiC Power Module

ROHM Semiconductor

The purpose of this product training module is to provide a brief overview of ROHM’s 3rd generation SiC Trench MOS devices and its advantages.

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisCharakterystyka FETDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE-61 - Immediate$1,138.35Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE-2 - Immediate$1,418.74Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE-1 - Immediate$1,698.38Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE-13 - Immediate$2,011.63Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE-16 - Immediate$2,800.69Wyświetl szczegóły
PTM Published on: 2017-01-05
PTM Updated on: 2018-08-01

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
SiC Schottky Barrier Diodes ROHM’s SiC Schottky barrier diodes are AEC-Q101 qualified for automotive use.
SiC Power MOSFETs ROHM’s silicon carbide (SiC) MOSFETs come in a variety of ON resistances and voltage (VDSS) ratings of 650 V, 1,200 V, or 1,700 V.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.
How to Correctly Apply the Right Power Devices to Meet Industrial Power Supply Requirements By correctly applying the right power components for industrial power supplies and converters, designers can ensure the necessary performance and reliability.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Trench MOSFETs Minimal reverse recovery behavior of the parasitic diode and supports high-speed switching.