Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 6 210
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
6 210Wyniki

Wyświetlanie
z 6 210
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
194 238
W magazynie
1 : 0,77000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15007 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
300mA
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
40pF przy 10V
285mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
66 544
W magazynie
1 : 1,02000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21171 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
295mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,9nC przy 4,5V
26pF przy 20V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
66 254
W magazynie
1 : 1,13000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23594 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
30 008
W magazynie
1 : 1,13000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23137 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
15 149
W magazynie
1 : 1,17000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,23084 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
94 631
W magazynie
1 : 1,21000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24701 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
DT2042-04SOQ-7
MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Diodes Incorporated
1 020 671
W magazynie
4 050 000
Fabryka
1 : 1,28000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23295 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
1,34A, 1,14A
400mOhm przy 600mA, 4,5V
1V przy 250µA
0,74nC przy 4,5V
60,67pF przy 16V
1,12W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-26
SOT 563
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
59 634
W magazynie
1 : 1,28000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26301 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
1,03A, 700mA
480mOhm przy 200mA, 5V
900mV przy 250µA
0,5nC przy 4,5V
37,1pF przy 10V
450mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
PG-SOT363-PO
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
1 975
W magazynie
1 : 1,43000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29548 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
400mOhm przy 880mA, 2,5V
750mV przy 1,6µA
0,26nC przy 2,5V
78pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
614 896
W magazynie
1 : 1,46000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,27051 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
506 968
W magazynie
1 : 1,46000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31259 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
350mA
1,4Ohm przy 350mA, 4,5V
1,1V przy 250µA
0,68nC przy 4,5V
50pF przy 15V
445mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
EMT6
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
160 420
W magazynie
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,28189 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
146 559
W magazynie
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32389 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
37 734
W magazynie
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31744 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm przy 3,1A, 10V
2,3V przy 250µA
13nC przy 10V
400pF przy 15V
840mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT-363
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
onsemi
44 179
W magazynie
1 : 1,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33611 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
260mOhm przy 880mA, 4,5V
1,2V przy 250µA
2,2nC przy 4,5V
155pF przy 20V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
TSOT-26
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
40 292
W magazynie
1 : 1,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32125 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm przy 3,4A, 10V
1,5V przy 250µA
12,3nC przy 10V
422pF przy 15V
850mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT-363
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
30 689
W magazynie
1 : 1,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32839 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
-
8V
1,3A
175mOhm przy 1,2A, 4,5V
1V przy 250µA
-
-
400mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
100 577
W magazynie
1 : 1,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33957 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 363
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
77 121
W magazynie
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34526 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
50V
200mA
3,5Ohm przy 220mA, 10V
1,5V przy 250µA
-
50pF przy 10V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT-563
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
147 411
W magazynie
1 : 1,68000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,35236 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-363
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
55 849
W magazynie
1 : 1,68000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,36887 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
630mA
375mOhm przy 630mA, 4,5V
1,5V przy 250µA
3nC przy 4,5V
46pF przy 20V
270mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
NC7SZ332P6X
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
43 618
W magazynie
1 : 1,72000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,38088 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
115mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
84 505
W magazynie
1 : 1,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,39283 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 23-6
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
MCC (Micro Commercial Components)
69 610
W magazynie
1 : 1,83000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,40793 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
-
20V
5A, 4A
38mOhm przy 4,5A, 4,5V, 90mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
11nC przy 4,5V, 12nC przy 2,5V
800pF, 405pF przy 8V, 10V
-
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-23-6L
SI1033X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
34 863
W magazynie
1 : 1,83000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,40093 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
Wyświetlanie
z 6 210

Układy tranzystorów FET, MOSFET


Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.