
DMG6602SVT-7 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | DMG6602SVT-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG6602SVT-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG6602SVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMG6602SVT-7 |
Opis | MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 3,4A, 2,8A 840mW Montaż powierzchniowy TSOT-26 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Diodes Incorporated | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | Kanał N i P | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5V | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 3,4A, 2,8A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 60mOhm przy 3,1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 13nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 400pF przy 15V | |
Moc - maks. | 840mW | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TSOT-26 | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 1,46000 zł | 1,46 zł |
| 10 | 0,90700 zł | 9,07 zł |
| 100 | 0,57180 zł | 57,18 zł |
| 500 | 0,42636 zł | 213,18 zł |
| 1 000 | 0,37928 zł | 379,28 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,30976 zł | 929,28 zł |
| 6 000 | 0,28043 zł | 1 682,58 zł |
| 9 000 | 0,26548 zł | 2 389,32 zł |
| 15 000 | 0,24867 zł | 3 730,05 zł |
| 21 000 | 0,23871 zł | 5 012,91 zł |
| 30 000 | 0,22903 zł | 6 870,90 zł |
| 75 000 | 0,20803 zł | 15 602,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1,46000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1,79580 zł |








