Name: BSD840NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSD840NH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.8573 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSD840NH6327XTSA1
Numer produktu DigiKey	BSD840NH6327XTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSD840NH6327XTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSD840NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSD840NH6327XTSA1
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 880mA 500mW Montaż powierzchniowy PG-SOT363-PO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSD840NH6327XTSA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 400mOhm przy 880mA, 2,5V
Producent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 750mV przy 1,6µA
Seria OptiMOS™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,26nC przy 2,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 78pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 500mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-SOT363-PO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 880mA	Bazowy numer produktu BSD840

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 165 780

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)