Name: SUD50P10-43L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50P10-43L-E3TR-ND
Price: 15.9039 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUD50P10-43L-E3
Numer produktu DigiKey	SUD50P10-43L-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUD50P10-43L-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUD50P10-43L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUD50P10-43L-E3
Opis	MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	63 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 37,1A (Tc) 8,3W (Ta), 136W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SUD50P10-43L-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 160 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4600 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 8,3W (Ta), 136W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 37,1A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUD50
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 43mOhm przy 9,2A, 10V