Name: SUD09P10-195-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD09P10-195-GE3TR-ND
Price: 6.4944 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUD09P10-195-GE3
Numer produktu DigiKey	SUD09P10-195-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUD09P10-195-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUD09P10-195-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUD09P10-195-GE3
Opis	MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	63 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 8,8A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 34.8 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1055 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8,8A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUD09
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 195mOhm przy 3,6A, 10V