
SISB46DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISB46DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 40V 34A (Tc) 23W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISB46DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 40V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 34A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 11,71mOhm przy 5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 11nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1100pF przy 20V | |
Moc - maks. | 23W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® 1212-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,68000 zł | 4,68 zł |
| 10 | 2,93500 zł | 29,35 zł |
| 100 | 1,93800 zł | 193,80 zł |
| 500 | 1,50902 zł | 754,51 zł |
| 1 000 | 1,37089 zł | 1 370,89 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,19547 zł | 3 586,41 zł |
| 6 000 | 1,10715 zł | 6 642,90 zł |
| 9 000 | 1,06217 zł | 9 559,53 zł |
| 15 000 | 1,03166 zł | 15 474,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,68000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,75640 zł |








