Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 5 886
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
5 886Wyniki

Wyświetlanie
z 5 886
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
84 362
W magazynie
1 : 0,82000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16413 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
300mA
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
40pF przy 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
57 140
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,23534 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
207 143
W magazynie
1 : 1,15000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,22693 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
50pF przy 10V
295mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
3 803
W magazynie
1 : 1,15000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,20338 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
295mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,9nC przy 4,5V
26pF przy 20V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
156 345
W magazynie
1 : 1,24000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21645 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
78 399
W magazynie
1 : 1,28000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26240 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
137 553
W magazynie
1 : 1,32000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23819 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
14 557
W magazynie
1 : 1,44000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33262 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
400mOhm przy 880mA, 2,5V
750mV przy 1,6µA
0,26nC przy 2,5V
78pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
34 385
W magazynie
1 : 1,52000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,28597 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
1,07A, 845mA
450mOhm przy 600mA, 4,5V
1V przy 250µA
0,74nC przy 4,5V
60,67pF przy 10V
330mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SI1033X-T1-GE3
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
31 288
W magazynie
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,41604 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
743 705
W magazynie
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,27729 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
91 306
W magazynie
1 254 000
Fabryka
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,28163 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm przy 3,1A, 10V
2,3V przy 250µA
13nC przy 10V
400pF przy 15V
840mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
63 009
W magazynie
1 : 1,69000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,28597 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 514
W magazynie
300 000
Fabryka
1 : 1,69000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29463 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm przy 3,4A, 10V
1,5V przy 250µA
12,3nC przy 10V
422pF przy 15V
850mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
7 126
W magazynie
1 : 1,69000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,27387 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
398 395
W magazynie
1 : 1,90000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,38849 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
NC7SZ332P6X
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
73 123
W magazynie
1 : 1,90000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34880 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
115mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
54 410
W magazynie
1 : 1,90000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,36827 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
400mA, 200mA
700mOhm przy 200MA, 10V
1,8V przy 100µA
-
20pF przy 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
36 251
W magazynie
1 : 1,90000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,36395 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
630mA
375mOhm przy 630mA, 4,5V
1,5V przy 250µA
3nC przy 4,5V
46pF przy 20V
270mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 563
DMN2400UV-7
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Diodes Incorporated
26 036
W magazynie
36 387 000
Fabryka
1 : 1,94000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31632 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
1,33A
480mOhm przy 200mA, 5V
900mV przy 250µA
0,5nC przy 4,5V
36pF przy 16V
530mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
88 939
W magazynie
1 : 1,98000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,40763 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanał N
-
30V
5A
32mOhm przy 5,8A, 10V
1,5V przy 250µA
-
1155pF przy 15V
1,4W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VDFN podkładka odsłonięta
DFN2020-6L
SOT-563
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
41 580
W magazynie
1 : 1,98000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,39711 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
-
20V
430mA
900mOhm przy 430mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
175pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
PMDPB70XP,115
PMDPB58UPE,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Nexperia USA Inc.
3 209
W magazynie
1 : 1,98000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,57968 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
3,6A
67mOhm przy 2A, 4,5V
950mV przy 250µA
9,5nC przy 4,5V
804pF przy 10V
515mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-UFDFN podkładka odsłonięta
6-HUSON (2x2)
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
69 737
W magazynie
1 : 2,02000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,40142 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
800mA
380mOhm przy 500mA, 4,5V
950mV przy 250µA
0,68nC przy 4,5V
83pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
42 199
W magazynie
1 : 2,06000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,41583 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
Wyświetlanie
z 5 886

Układy tranzystorów FET, MOSFET


Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.