Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 6 005
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
6 005Wyniki

Wyświetlanie
z 6 005
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
208 626
W magazynie
1 : 0,78000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14425 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
300mA
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
40pF przy 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
94 111
W magazynie
1 : 1,15000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23076 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
42 083
W magazynie
1 : 1,15000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21900 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
67 075
W magazynie
1 : 1,19000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,15557 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
2 693
W magazynie
1 : 1,23000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,22685 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
NC7SZ332P6X
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
45 648
W magazynie
1 : 1,26000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32252 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
115mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
68 278
W magazynie
1 : 1,38000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,24548 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
500mA, 330mA
630mOhm przy 200mA, 5V
1V przy 1mA
1,23nC przy 4V
46pF przy 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
325 208
W magazynie
1 : 1,41000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26263 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 320mA, 10V
1,6V przy 250µA
0,7nC przy 4,5V
56pF przy 10V
445mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
45 711
W magazynie
1 : 1,41000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30033 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
400mOhm przy 880mA, 2,5V
750mV przy 1,6µA
0,26nC przy 2,5V
78pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 23-6
SIL2308-TP
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
MCC (Micro Commercial Components)
60 286
W magazynie
1 : 1,45000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31639 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
-
20V
5A, 4A
38mOhm przy 4,5A, 4,5V, 90mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
11nC przy 4,5V, 12nC przy 2,5V
800pF, 405pF przy 8V, 10V
-
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-23-6L
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
650 455
W magazynie
1 : 1,49000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,27387 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
33 674
W magazynie
1 : 1,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26995 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm przy 3,1A, 10V
2,3V przy 250µA
13nC przy 10V
400pF przy 15V
840mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
3 100
W magazynie
1 : 1,53000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,28652 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-363
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
44 819
W magazynie
1 : 1,56000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33599 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
-
8V
1,3A
175mOhm przy 1,2A, 4,5V
1V przy 250µA
-
-
400mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
15 984
W magazynie
1 : 1,56000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26995 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm przy 3,4A, 10V
1,5V przy 250µA
12,3nC przy 10V
422pF przy 15V
850mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT-363
NVTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
125 212
W magazynie
1 : 1,60000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29596 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1033X-T1-GE3
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
13 555
W magazynie
1 : 1,60000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,35667 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
onsemi
67 844
W magazynie
1 : 1,64000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32471 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
260mOhm przy 880mA, 4,5V
1,2V przy 250µA
2,2nC przy 4,5V
155pF przy 20V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
12 145
W magazynie
1 : 1,64000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34814 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
345 948
W magazynie
1 : 1,71000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,28062 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
15 019
W magazynie
1 : 1,75000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37185 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
5A
32mOhm przy 5,8A, 10V
1,5V przy 250µA
-
1155pF przy 15V
1,4W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VDFN podkładka odsłonięta
DFN2020-6L
53 458
W magazynie
1 : 1,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32080 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
400mA, 200mA
700mOhm przy 200MA, 10V
1,8V przy 100µA
-
20pF przy 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
22 058
W magazynie
1 053 000
Fabryka
1 : 1,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37927 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
50V
200mA
3,5Ohm przy 220mA, 10V
1,5V przy 250µA
-
50pF przy 10V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
6 PQFN
IRLHS6376TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Infineon Technologies
110 088
W magazynie
1 : 1,90000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,62228 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
3,6A
63mOhm przy 3,4A, 4,5V
1,1V przy 10µA
2,8nC przy 4,5V
270pF przy 25V
1,5W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-PowerVDFN
6-PQFN Dual (2x2)
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
5 987
W magazynie
738 000
Fabryka
1 : 1,90000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,36766 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
50V
130mA
10Ohm przy 100mA, 5V
2V przy 1mA
-
45pF przy 25V
300mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Wyświetlanie
z 6 005

Układy tranzystorów FET, MOSFET


Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.