Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 6 045
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
6 045Wyniki

Wyświetlanie
z 6 045
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
42 832
W magazynie
1 : 1,04000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,20405 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
50pF przy 10V
295mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
197 543
W magazynie
1 : 1,08000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,20770 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
295mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,9nC przy 4,5V
26pF przy 20V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
58 392
W magazynie
1 : 1,18000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24520 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
26 750
W magazynie
1 : 1,18000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24914 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
50V
160mA
7,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,35nC przy 5V
36pF przy 25V
445mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
15 524
W magazynie
1 : 1,18000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24343 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
-
2 kanały N (podwójne)
-
60V
320mA (Ta)
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,5nC przy 4,5V
34pF przy 10V
420mW
-55°C - 150°C (TA)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2 547
W magazynie
1 : 1,18000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23047 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 300mA, 10V
1,5V przy 250µA
0,8nC przy 4,5V
50pF przy 10V
420mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
49 075
W magazynie
1 : 1,26000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,24982 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
524 428
W magazynie
1 : 1,33000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,28298 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
350mA
1,4Ohm przy 350mA, 4,5V
1,1V przy 250µA
0,68nC przy 4,5V
50pF przy 15V
445mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PMBT2222AYS-QX
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
75 777
W magazynie
1 : 1,36000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,28586 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
350mA, 200mA
1,4Ohm przy 350mA, 4,5V
1,1V przy 250µA
0,68nC przy 4,5V
50pF przy 15V
445mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
5 964
W magazynie
1 : 1,36000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,26131 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
-
20V
430mA
900mOhm przy 430mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
175pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
0
W magazynie
681 338
Marketplace
Sprawdź czas realizacji
1 : 1,40000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,27008 zł
Taśma i szpula (TR)
3 566 : 0,28726 zł
Zbiorcze
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Zbiorcze
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
BSD223PH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Infineon Technologies
92 487
W magazynie
1 : 1,40000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30110 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
390mA
1,2Ohm przy 390mA, 4,5V
1,2V przy 1,5µA
0,62nC przy 4,5V
56pF przy 15V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-6-1
1 295
W magazynie
1 : 1,44000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,29132 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
500mA, 330mA
630mOhm przy 200mA, 5V
1V przy 1mA
1,23nC przy 4V
46pF przy 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
PEMD4-QX
MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Nexperia USA Inc.
23 500
W magazynie
1 : 1,47000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,29947 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
50V
170mA
7,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,35nC przy 5V
36pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-666
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
563 850
W magazynie
1 : 1,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33409 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Diodes Incorporated
917 194
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31721 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
1,34A, 1,14A
400mOhm przy 600mA, 4,5V
1V przy 250µA
0,74nC przy 4,5V
60,67pF przy 16V
1,12W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-26
PEMD4-QX
MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Nexperia USA Inc.
233 618
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,33051 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
200mA
4,5Ohm przy 100mA, 10V
1,5V przy 250µA
0,44nC przy 4,5V
13pF przy 10V
375mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-666
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
155 282
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34000 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
86 913
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,29593 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-363
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
86 343
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32218 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
-
8V
1,3A
175mOhm przy 1,2A, 4,5V
1V przy 250µA
-
-
400mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
onsemi
28 786
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31555 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
260mOhm przy 880mA, 4,5V
1,2V przy 250µA
2,2nC przy 4,5V
155pF przy 20V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
15 094
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,31776 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
295mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,9nC przy 4,5V
26pF przy 20V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
5 725
W magazynie
1 : 1,62000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34767 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
950mA
350mOhm przy 950mA, 4,5V
1,2V przy 1,6µA
0,32nC przy 4,5V
63pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT-363
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
53 084
W magazynie
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33315 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PEMD4-QX
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Nexperia USA Inc.
2 418
W magazynie
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,34128 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
400mA, 220mA
1,4Ohm przy 350mA, 4,5V
1,1V przy 250µA
0,68nC przy 4,5V
50pF przy 15V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-666
Wyświetlanie
z 6 045

Układy tranzystorów FET, MOSFET


Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.