Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 5 671
Producent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Seria
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Opakowanie
Digi-Reel®RurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i szpula (TR)Zbiorcze
Status produktu
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Technologia
-GaNFET (azotek galu)MOSFET (tlenek metalu)SiCFET (węglik krzemu)Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanał N2 kanały N (odgałęzienie fazowe)2 kanały N (podwójne)2 kanały N (podwójne), asymetryczne2 kanały N (podwójne), dioda Schottky'ego2 kanały N (podwójne), dobrane w pary2 kanały N (podwójne), wspólne źródło2 kanały N (podwójne), wspólny dren2 kanały N (podwójny przekształtnik obniżający napięcie)2 kanały N (półmostek)2 kanały N (z kaskodą)2 kanały N i 2 kanały P
Charakterystyka FET
-Bramka poziomów logicznych, sterowanie 10VBramka poziomu logicznegoBramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8VBramka poziomu logicznego, sterowanie 2,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4VBramka poziomu logicznego, sterowanie 5VTryb ograniczenia funkcjiWęglik krzemu (SiC)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,46mOhm przy 160A, 12V0,762mOhm przy 160A, 12V0,765mOhm przy 160A, 12V, 0,580mOhm przy 160A, 12V0,765mOhm przy 160A, 12V, 0,710mOhm przy 160A, 12V0,8mOhm przy 1200A, 10V0,88mOhm przy 160A, 14V, 0,71mOhm przy 160A, 14V0,88mOhm przy 50A, 10V0,95mOhm przy 30A, 10V0,95mOhm przy 8A, 4,5V0,99mOhm przy 80A, 10V, 1,35mOhm przy 80A, 10V1,039mOhm przy 160A, 12V, 762µOhm przy 160A, 12V1,2mOhm przy 800A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
10mV przy 10µA10mV przy 1µA10mV przy 20µA20mV przy 10µA20mV przy 1µA20mV przy 20µA180mV przy 1µA200mV przy 2,8A, 200mV przy 1,9A220mV przy 1µA360mV przy 1µA380mV przy 1µA400mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0,4pC przy 4,5V, 7,3nC przy 4,5V0,45pC przy 4,5V0,16nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,22nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,26nC przy 2,5V0,28nC przy 4,5V0,28nC przy 4,5V, 0,3nC przy 4,5V0,3nC przy 4,5V0,3nC przy 4,5V, 0,28nC przy 4,5V0,304nC przy 4,5V0,31nC przy 4,5V0,32nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2,5pF przy 5V3pF przy 5V5pF przy 3V6pF przy 3V6,2pF przy 10V6,6pF przy 10V7pF przy 10V7pF przy 3V7,1pF przy 10V7,4pF przy 10V7,5pF przy 10V8,5pF przy 3V
Moc - maks.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-55°C - 125°C-55°C - 150°C-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (Tc)-55°C - 150°C (TJ)-55°C - 155°C (TJ)-55°C - 175°C-55°C - 175°C (TA)-55°C - 175°C (TJ)-50°C - 150°C (TJ)-40°C - 125°C
Klasa
-MotoryzacjaWojskowość
Kwalifikacja
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
4-SMD, brak odprowadzenia4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podkładka odsłonięta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Obudowa dostawcy urządzenia
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
5 671Wyniki

Wyświetlanie
z 5 671
Porównaj
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
787 889
W magazynie
1 : 1,05000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23048 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357 848
W magazynie
1 : 1,05000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23559 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
249 708
W magazynie
392 500
Fabryka
1 : 1,05000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 0,31737 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
3,9A
70mOhm przy 5,3A, 10V
3V przy 250µA
11nC przy 10V
563pF przy 25V
1,1W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
149 805
W magazynie
90 000
Fabryka
1 : 1,17000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,47605 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
-
150pF przy 16V
225mW
-65°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 197
W magazynie
1 : 1,21000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,48360 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P, wspólny dren
Bramka poziomu logicznego
30V
6A, 5,5A
30mOhm przy 6A, 10V
2,4V przy 250µA
6,3nC przy 10V
310pF przy 15V
2W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
163 172
W magazynie
1 : 1,37000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24810 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
68 149
W magazynie
1 : 1,41000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,38221 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
284 021
W magazynie
1 : 1,45000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,25983 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
97 770
W magazynie
1 : 1,45000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,38857 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80 560
W magazynie
1 : 1,45000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24197 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
295mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,9nC przy 4,5V
26pF przy 20V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 623
W magazynie
1 : 1,45000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,39558 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
950mA
350mOhm przy 950mA, 4,5V
1,2V przy 1,6µA
0,32nC przy 4,5V
63pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
17 974
W magazynie
1 : 1,45000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26007 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,4V przy 250µA
0,8nC przy 4,5V
50pF przy 10V
420mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q100
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
11 559
W magazynie
1 : 1,53000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,32766 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
89 914
W magazynie
1 : 1,57000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,42552 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
540mA, 430mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52 077
W magazynie
918 000
Fabryka
1 : 1,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34462 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm przy 3,4A, 10V
1,5V przy 250µA
12,3nC przy 10V
422pF przy 15V
850mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
432 286
W magazynie
1 773 000
Fabryka
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,43508 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,3nC przy 4,5V
30pF przy 25V, 25pF przy 25V
450mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167 442
W magazynie
2 598 000
Fabryka
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,28984 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
1,03A, 700mA
480mOhm przy 200mA, 5V
900mV przy 250µA
0,5nC przy 4,5V
37,1pF przy 10V
450mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
89 797
W magazynie
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,29040 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
100mA
4Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
-
8,5pF przy 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 747
W magazynie
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,43508 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
280mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2,5V przy 250µA
-
50pF przy 25V
150mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24 382
W magazynie
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,43443 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanał N
-
30V
5A
32mOhm przy 5,8A, 10V
1,5V przy 250µA
-
1155pF przy 15V
1,4W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VDFN podkładka odsłonięta
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10 701
W magazynie
1 : 1,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,54874 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
6,2A
30mOhm przy 5,8A, 10V
2V przy 250µA
10,6nC przy 10V
500pF przy 15V
1W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-UDFN podkładka odsłonięta
U-DFN2020-6 (typ B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
94 740
W magazynie
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29771 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
19 164
W magazynie
1 : 1,65000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,44591 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
700mA, 500mA
388mOhm przy 600mA, 10V
2,5V przy 250µA
1,5nC przy 10V
28pF przy 15V
340mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346 412
W magazynie
1 : 1,69000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30252 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 300mA, 10V
1,5V przy 250µA
0,8nC przy 4,5V
50pF przy 10V
420mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
256 727
W magazynie
1 : 1,69000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30756 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
50pF przy 10V
295mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Wyświetlanie
z 5 671

Układy tranzystorów FET, MOSFET


Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.