Tranzystory - FET, MOSFET - układy

Wyniki : 5 743
Producent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Seria
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Opakowanie
Digi-Reel®ListwaRurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i szpula (TR)Zbiorcze
Status produktu
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Technologia
-GaNFET (azotek galu)MOSFET (tlenek metalu)SiCFET (węglik krzemu)Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanał N2 kanały N (odgałęzienie fazowe)2 kanały N (podwójne)2 kanały N (podwójne), asymetryczne2 kanały N (podwójne), dioda Schottky'ego2 kanały N (podwójne), dobrane w pary2 kanały N (podwójne), wspólne źródło2 kanały N (podwójne), wspólny dren2 kanały N (podwójny przekształtnik obniżający napięcie)2 kanały N (półmostek)2 kanały N (z kaskodą)2 kanały N i 2 kanały P
Charakterystyka FET
-Bramka poziomów logicznych, sterowanie 10VBramka poziomu logicznegoBramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8VBramka poziomu logicznego, sterowanie 2,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4VBramka poziomu logicznego, sterowanie 5VTryb ograniczenia funkcjiWęglik krzemu (SiC)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,46mOhm przy 160A, 12V0,762mOhm przy 160A, 12V0,765mOhm przy 160A, 12V, 0,580mOhm przy 160A, 12V0,765mOhm przy 160A, 12V, 0,710mOhm przy 160A, 12V0,8mOhm przy 1200A, 10V0,88mOhm przy 160A, 14V, 0,71mOhm przy 160A, 14V0,88mOhm przy 50A, 10V0,95mOhm przy 30A, 10V0,95mOhm przy 8A, 4,5V0,99mOhm przy 80A, 10V, 1,35mOhm przy 80A, 10V1,039mOhm przy 160A, 12V, 762µOhm przy 160A, 12V1,15mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
10mV przy 10µA10mV przy 1µA10mV przy 20µA20mV przy 10µA20mV przy 1µA20mV przy 20µA180mV przy 1µA200mV przy 2,8A, 200mV przy 1,9A220mV przy 1µA360mV przy 1µA380mV przy 1µA400mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0,4pC przy 4,5V, 7,3nC przy 4,5V0,45pC przy 4,5V50pC przy 4,5V0,16nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,22nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,26nC przy 2,5V0,28nC przy 4,5V0,28nC przy 4,5V, 0,3nC przy 4,5V0,3nC przy 4,5V0,3nC przy 4,5V, 0,28nC przy 4,5V0,304nC przy 4,5V0,31nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2,5pF przy 5V3pF przy 5V5pF przy 3V6pF przy 3V6,2pF przy 10V6,6pF przy 10V7pF przy 10V7pF przy 3V7,1pF przy 10V7,4pF przy 10V7,5pF przy 10V8,5pF przy 3V
Moc - maks.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-55°C - 125°C-55°C - 150°C-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (Tc)-55°C - 150°C (TJ)-55°C - 155°C (TJ)-55°C - 175°C-55°C - 175°C (TA)-55°C - 175°C (TJ)-50°C - 150°C (TJ)-40°C - 125°C
Klasa
-MotoryzacjaWojskowość
Kwalifikacja
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
4-SMD, brak odprowadzenia4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podkładka odsłonięta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Obudowa dostawcy urządzenia
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
5 743Wyniki
Wyświetlanie
z 5 743
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
384 417
W magazynie
1 : 0,81000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15902 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
300mA
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
40pF przy 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
747 704
W magazynie
1 : 1,12000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23697 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
232 039
W magazynie
1 : 1,12000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24116 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
DT2042-04SOQ-7
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
143 744
W magazynie
1 : 1,12000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,45479 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
-
150pF przy 16V
225mW
-65°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
169 551
W magazynie
1 : 1,16000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,46200 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P, wspólny dren
Bramka poziomu logicznego
30V
6A, 5,5A
30mOhm przy 6A, 10V
2,4V przy 250µA
6,3nC przy 10V
310pF przy 15V
2W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2 098
W magazynie
1 : 1,19000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24002 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,4V przy 250µA
0,8nC przy 4,5V
50pF przy 10V
420mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q100
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
191 394
W magazynie
1 : 1,23000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26174 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
92 405
W magazynie
1 : 1,23000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 0,24156 zł
Taśma i szpula (TR)
1 : 1,46000 zł
Taśma cięta (CT)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
600mA
620mOhm przy 600mA, 4,5V
950mV przy 250µA
0,7nC przy 4,5V
21,3pF przy 10V
265mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-XFDFN podkładka odsłonięta
DFN1010B-6
70 811
W magazynie
1 : 1,23000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,24459 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
121 097
W magazynie
1 : 1,27000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,22997 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
143 461
W magazynie
1 : 1,35000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,27375 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
100mA
4Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
-
8,5pF przy 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
63 362
W magazynie
1 : 1,35000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,36513 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
83 655
W magazynie
1 : 1,39000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29048 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
60 218
W magazynie
1 : 1,39000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,28522 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
500mA, 330mA
630mOhm przy 200mA, 5V
1V przy 1mA
1,23nC przy 4V
46pF przy 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
41 677
W magazynie
1 : 1,39000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37122 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
126 838
W magazynie
1 : 1,42000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,42831 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
7A (Ta)
20mOhm przy 7A, 10V
2,3V przy 250µA
20nC przy 10V
600pF przy 15V
1,7W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
82 796
W magazynie
1 : 1,42000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,57750 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
485mA
700mOhm przy 600mA, 4,5V
900mV przy 250µA
0,75nC przy 4,5V
-
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
416 755
W magazynie
2 793 000
Fabryka
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,40150 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,3nC przy 4,5V
30pF przy 25V, 25pF przy 25V
450mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
60 762
W magazynie
8 000
Fabryka
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,40651 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
540mA, 430mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
55 139
W magazynie
549 000
Fabryka
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,40330 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
280mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2,5V przy 250µA
-
50pF przy 25V
150mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
17 770
W magazynie
459 000
Fabryka
1 : 1,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,50866 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
6,2A
30mOhm przy 5,8A, 10V
2V przy 250µA
10,6nC przy 10V
500pF przy 15V
1W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-UDFN podkładka odsłonięta
U-DFN2020-6 (typ B)
MCMNP2065A-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
14 875
W magazynie
1 : 1,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,41503 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanał N
-
30V
5A
32mOhm przy 5,8A, 10V
1,5V przy 250µA
-
1155pF przy 15V
1,4W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VDFN podkładka odsłonięta
DFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
8 472
W magazynie
1 : 1,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,51620 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
370mA
1,4Ohm przy 340mA, 10V
2,5V przy 250µA
1,4nC przy 10V
18,5pF przy 30V
510mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
165 892
W magazynie
1 : 1,58000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,29854 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68 880
W magazynie
1 : 1,69000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34781 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
860mA
350mOhm przy 200mA, 4,5V
1,5V przy 250µA
0,72nC przy 4,5V
34pF przy 20V
410mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Wyświetlanie
z 5 743

Tranzystory - FET, MOSFET - układy

Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.