Name: SI7216DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7216DN-T1-E3TR-ND
Price: 10.4181 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7216DN-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7216DN-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7216DN-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7216DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7216DN-T1-E3
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 6A 20,8W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7216DN-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 19nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 670pF przy 20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 20,8W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -50°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A	Bazowy numer produktu SI7216
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 32mOhm przy 5A, 10V