SIHP21N65EF-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 569
Cena jednostkowa : 20,04000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 266
Cena jednostkowa : 10,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 000
Cena jednostkowa : 12,53000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 56 890
Cena jednostkowa : 7,68429 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,09377 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 17,53233 zł

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 670
Cena jednostkowa : 15,33000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 990
Cena jednostkowa : 14,04000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 315
Cena jednostkowa : 18,06000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 23
Cena jednostkowa : 18,92000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHP21N65EF-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHP21N65EF-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHP21N65EF-GE3
Opis
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
28 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
106 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±20V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2322 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
208W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
180mOhm przy 11A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (11)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
FCP190N65Fonsemi569FCP190N65F-ND20,04000 złSimilar
FCP190N65S3R0onsemi266488-FCP190N65S3R0-ND10,02000 złSimilar
IPP60R170CFD7XKSA1Infineon Technologies2 000IPP60R170CFD7XKSA1-ND12,53000 złSimilar
IPP65R190E6XKSA1Rochester Electronics, LLC56 8902156-IPP65R190E6XKSA1-ND7,68429 złSimilar
IXFP24N60XIXYS0IXFP24N60X-ND11,09377 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
121,22000 zł21,22 zł
1014,15500 zł141,55 zł
10010,14830 zł1 014,83 zł
5008,43960 zł4 219,80 zł
1 0007,89118 zł7 891,18 zł
2 0007,51375 zł15 027,50 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:21,22000 zł
Cena jednostkowa z VAT:26,10060 zł