Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHP21N65EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 106 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±20V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2322 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 208W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 180mOhm przy 11A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 20,04000 zł | Similar |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 266 | 488-FCP190N65S3R0-ND | 10,02000 zł | Similar |
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 2 000 | IPP60R170CFD7XKSA1-ND | 12,53000 zł | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 7,68429 zł | Similar |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | 11,09377 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 21,22000 zł | 21,22 zł |
| 10 | 14,15500 zł | 141,55 zł |
| 100 | 10,14830 zł | 1 014,83 zł |
| 500 | 8,43960 zł | 4 219,80 zł |
| 1 000 | 7,89118 zł | 7 891,18 zł |
| 2 000 | 7,51375 zł | 15 027,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 21,22000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 26,10060 zł |







