IXFP24N60X IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFP24N60X jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

IXYS

W magazynie: 4 398

Cena jednostkowa : 23,31000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 473

Cena jednostkowa : 9,92000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 500

Cena jednostkowa : 15,04000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 10 789

Cena jednostkowa : 11,46000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 18,15000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 381

Cena jednostkowa : 15,66000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFP24N60X
Numer produktu DigiKey	IXFP24N60X-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFP24N60X
Opis	MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 24A (Tc) 400W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Ultra X
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	175mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 2,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1910 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	400W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IXFP24