
TK17E65W,S1X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK17E65WS1X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK17E65W,S1X |
Opis | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 17,3A (Ta) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK17E65W,S1X Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 900µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 45 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1800 pF @ 300 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 165W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 200mOhm przy 8,7A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP165N60E | onsemi | 1 034 | FCP165N60E-ND | 18,67000 zł | Similar |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | 13,07000 zł | Similar |
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | 1 480 | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND | 18,67000 zł | Similar |
| STP21N65M5 | STMicroelectronics | 900 | 497-STP21N65M5-ND | 20,00000 zł | Similar |
| STP26NM60N | STMicroelectronics | 178 | 497-9064-5-ND | 29,05000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 18,92000 zł | 18,92 zł |
| 50 | 9,81500 zł | 490,75 zł |
| 100 | 8,93460 zł | 893,46 zł |
| 500 | 7,39194 zł | 3 695,97 zł |
| 1 000 | 6,89667 zł | 6 896,67 zł |
| 2 000 | 6,48046 zł | 12 960,92 zł |
| 5 000 | 6,44100 zł | 32 205,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 18,92000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 23,27160 zł |

