SIHP21N60EF-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,01000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,41177 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 37
Cena jednostkowa : 13,07000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 513
Cena jednostkowa : 16,05000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,81738 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1
Cena jednostkowa : 13,07000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,52220 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,96080 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 17,53233 zł

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,51000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHP21N60EF-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHP21N60EF-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHP21N60EF-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
28 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SIHP21N60EF-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
84 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2030 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
227W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
176mOhm przy 11A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (12)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHP21N60EF-BE3Vishay Siliconix0742-SIHP21N60EF-BE3-ND15,01000 złBezpośrednie
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND9,41177 złSimilar
FCP190N60onsemi0FCP190N60-ND0,00000 złSimilar
IPP60R180C7XKSA1Infineon Technologies37IPP60R180C7XKSA1-ND13,07000 złSimilar
IPP60R199CPXKSA1Infineon Technologies513448-IPP60R199CPXKSA1-ND16,05000 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
118,96000 zł18,96 zł
509,82580 zł491,29 zł
1008,94470 zł894,47 zł
5007,40078 zł3 700,39 zł
1 0006,90504 zł6 905,04 zł
2 0006,48847 zł12 976,94 zł
5 0006,44997 zł32 249,85 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:18,96000 zł
Cena jednostkowa z VAT:23,32080 zł