IPP65R190C6XKSA1 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar

FCP190N65F
onsemi
W magazynie: 569
Cena jednostkowa : 20,47000 zł
Arkusz danych

Similar

FCP20N60
onsemi
W magazynie: 1 688
Cena jednostkowa : 23,66000 zł
Arkusz danych

Similar

SIHP22N60E-E3
Vishay Siliconix
W magazynie: 861
Cena jednostkowa : 18,20000 zł
Arkusz danych

Similar

STP20N65M5
STMicroelectronics
W magazynie: 670
Cena jednostkowa : 14,64000 zł
Arkusz danych

Similar

STP24N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 600
Cena jednostkowa : 12,73000 zł
Arkusz danych

Similar

STP24NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 379
Cena jednostkowa : 15,70000 zł
Arkusz danych

Similar

STP28N65M2
STMicroelectronics
W magazynie: 887
Cena jednostkowa : 13,87000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 650 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP65R190C6XKSA1

Numer produktu DigiKey
IPP65R190C6XKSA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IPP65R190C6XKSA1
Opis
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IPP65R190C6XKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
20,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
190mOhm przy 7,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 730µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1620 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
151W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
IPP65R190
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5005,41390 zł2 706,95 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:5,41390 zł
Cena jednostkowa z VAT:6,65910 zł
Do użytku zZobacz wszystko
2 Pozycje
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

2,93000 zł
2EDN7523FXTMA1

2EDN7523FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

2,93000 zł