AOT25S65L jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 776
Cena jednostkowa : 23,02000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 034
Cena jednostkowa : 15,76000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 432
Cena jednostkowa : 18,24000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 569
Cena jednostkowa : 20,04000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 257
Cena jednostkowa : 18,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 428
Cena jednostkowa : 13,72000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 839
Cena jednostkowa : 13,68000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 513
Cena jednostkowa : 16,05000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 56 890
Cena jednostkowa : 7,68429 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4 978
Cena jednostkowa : 24,45000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,70000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 349
Cena jednostkowa : 18,92000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5
Cena jednostkowa : 19,17000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,04000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 25A (Tc) 357W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOT25S65L

Numer produktu DigiKey
785-1514-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOT25S65L
Opis
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 25A (Tc) 357W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
26.4 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1278 pF @ 100 V
Status części
Nie do nowych projektów
Straty mocy (maks.)
357W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
190mOhm przy 12,5A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (20)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND23,02000 złSimilar
FCP165N60Eonsemi1 034FCP165N60E-ND15,76000 złSimilar
FCP190N60Eonsemi1 432FCP190N60EOS-ND18,24000 złSimilar
FCP190N65Fonsemi569FCP190N65F-ND20,04000 złSimilar
IPP60R165CPXKSA1Infineon Technologies257448-IPP60R165CPXKSA1-ND18,03000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0009,41177 zł9 411,77 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:9,41177 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,57648 zł