Name: SIHF12N60E-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHF12N60E-E3-ND
Price: 15.8424 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SIHF12N60E-E3
Numer produktu DigiKey	SIHF12N60E-E3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHF12N60E-E3
Opis	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	380mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	937 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	33W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220, pełny pakiet
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	SIHF12

Cena jednostkowa bez VAT:	12,88000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,84240 zł

SIHF12N60E-E3