SIHF12N60E-E3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 334
Cena jednostkowa : 14,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 228
Cena jednostkowa : 15,22000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,51306 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 67
Cena jednostkowa : 15,94000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 948
Cena jednostkowa : 17,42000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 78
Cena jednostkowa : 13,32000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 814
Cena jednostkowa : 14,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,58972 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,92992 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,21754 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,62000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHF12N60E-E3

Numer produktu DigiKey
SIHF12N60E-E3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHF12N60E-E3
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
380mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
937 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
33W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220, pełny pakiet
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,50000 zł13,50 zł
108,82300 zł88,23 zł
1006,15460 zł615,46 zł
5005,01456 zł2 507,28 zł
1 0004,64836 zł4 648,36 zł
2 0004,34056 zł8 681,12 zł
5 0004,08454 zł20 422,70 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:13,50000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,60500 zł