SI9945BDY-T1-GE3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,62000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,78783 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 2 864
Cena jednostkowa : 3,94000 zł
Arkusz danych

Similar


Panjit International Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,68230 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 9 298
Cena jednostkowa : 2,85000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 4 288
Cena jednostkowa : 8,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 10 004
Cena jednostkowa : 7,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 22
Cena jednostkowa : 9,58000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 7 018
Cena jednostkowa : 9,61000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 364
Cena jednostkowa : 5,84000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,13000 zł
Arkusz danych
MOSFET - układy 60V 5,3A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI9945BDY-T1-GE3

Numer produktu DigiKey
SI9945BDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT)
SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Numer produktu producenta
SI9945BDY-T1-GE3
Opis
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 60V 5,3A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Kategoria
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
58mOhm przy 4,3A, 10V
Producent
Vishay Siliconix
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 250µA
Seria
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
20nC przy 10V
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
665pF przy 15V
Status części
Nieaktualne
Moc - maks.
3,1W
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja
2 kanały N (podwójne)
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET
Bramka poziomu logicznego
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
5,3A
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (11)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SI9634DY-T1-GE3Vishay Siliconix0742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND4,62000 złMFR Recommended
AO4828Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1062-2-ND0,78783 złSimilar
DMN6066SSD-13Diodes Incorporated2 864DMN6066SSD-13CT-ND3,94000 złSimilar
PJL9830A_R2_00001Panjit International Inc.03757-PJL9830A_R2_00001TR-ND0,68230 złSimilar
RF4E110GNTRRohm Semiconductor9 298RF4E110GNTRCT-ND2,85000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.