Name: SI9634DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI9634DY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.8917 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI9634DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI9634DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI9634DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI9634DY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 6,2A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3,6W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI9634DY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,2A (Ta), 8A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	29mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	420pF przy 30V
Moc - maks.	2W (Ta), 3,6W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI9634