Name: SI8416DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8416DB-T2-E1TR-ND
Price: 5.1291 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8416DB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8416DB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8416DB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8416DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8416DB-T2-E1
Opis	MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 8 V 16A (Tc) 2,77W (Ta), 13W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-Micro Foot™ (1,5x1)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI8416DB-T2-E1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 800mV przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26 nC @ 4.5 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1470 pF @ 4 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,77W (Ta), 13W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 8 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-Micro Foot™ (1,5x1)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 16A (Tc)	Obudowa / skrzynia 6-UFBGA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI8416
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 23mOhm przy 1,5A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 204

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)