Name: SI4931DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4931DY-T1-GE3TR-ND
Price: 12.6444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4931DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4931DY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 12V 6,7A 1,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4931DY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,7A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 350µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	52nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	-
Moc - maks.	1,1W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI4931