
SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4925DDY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 54 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 8A 5W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI4925DDY-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 8A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 29mOhm przy 7,3A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 50nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1350pF przy 15V | |
Moc - maks. | 5W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,39000 zł | 5,39 zł |
| 10 | 3,41100 zł | 34,11 zł |
| 100 | 2,26930 zł | 226,93 zł |
| 500 | 1,77992 zł | 889,96 zł |
| 1 000 | 1,62245 zł | 1 622,45 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,45198 zł | 3 629,95 zł |
| 5 000 | 1,34662 zł | 6 733,10 zł |
| 7 500 | 1,29295 zł | 9 697,12 zł |
| 12 500 | 1,27231 zł | 15 903,88 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,39000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,62970 zł |











