Name: SI4925DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4925DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 7.1586 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4925DDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4925DDY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	28 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 8A 5W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4925DDY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 50nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1350pF przy 15V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 5W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A	Bazowy numer produktu SI4925
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 29mOhm przy 7,3A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 67 854

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	5,82000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,15860 zł

SI4925DDY-T1-GE3